Эрбиевый лазер Lutronic ACTION II

РЗН 2016/4910
лазер, эрбиевый, длина волны 2940 нм, частота 1 / 2 / 5 / 10 Гц, длительность импульсов 250 мкс / 1000 мкс
Lutronic Corporation, Южная Корея
Для просмотра предложений необходимо войти или зарегистрироваться

Характеристики

Вид
лазер
Тип лазера
эрбиевый
Применение
улучшение тонуса и текстуры кожи / пилинг / коррекция рубцов / удаление пигментных пятен
Длина волны
2940 нм
Частота
1 / 2 / 5 / 10 Гц
Плотность энергии
до 100 Дж/см²
Длительность импульсов
250 мкс / 1000 мкс
Размеры пятен
9×9 / 12 мм / 14 мм
Дисплей
8" сенсорный ЖК
Размер
295×656×1527 мм
Вес
86.5 кг

Описание

Многофункциональный эрбиевый фракционный лазер ACTION II премиум-класса Er:YAG для эстетической косметологии.


Применение:

- Эстетическая косметология и гинекология

- Процедура «Шайнинг Пил» (Shining Peel) - лазерный пилинг для выравнивания тона и улучшения состояния кожи.

- Общее фракционное омоложение (расширенные поры, морщины, фотостарение кожи, выравнивание тона, лифтинг).

- Нарушения пигментаций (веснушки, невус, лентиго, себорейный кератоз, сирингома).

- Коррекция рубцов (рубцы постакне, гипертрофические, хирургические, ожоговые).

- Омоложение, улучшение тона и текстуры губ.

- Неаблятивное омоложение кожи при помощи длинноимпульсного режима.

- Микроабляция.


Манипулы к лазерному аппарату Action II:

- манипула «Zoom» 1-7 мм;

- манипула Shining Peel (Шайнинг Пил);

- фракционная манипула.


Технические характеристики: 

- режимы работы: стандартный, длинноимпульсный, фракционный;

- профиль распределения энергии лазерного луча: цилиндрический с плоской вершиной;

- энергия импульса: стандартный режим - до 2.2 Дж, фракционный режим - до 18 Дж;

- длительность импульса: стандартный режим - 250 мкс, длинноимпульсный режим - до 1000 мкс;

- размер пятна манипула «Зум»: стандартный: 1 - 7 мм ø, длинноимпульсный: 1.6 - 6.4 мм ø;

- размер пятна Манипула «Шайнинг Пил»: 14 мм ø;

- размер пятна Фракционная манипула: 12 мм ø, 9×9 мм;

- память устройства: процедура «Шайнинг Пил» и 8 слотов памяти;

- прицельный луч: диодный 655-нм (красный), 1 мВт, регулируемая яркость.

Для просмотра документации необходимо войти или зарегистрироваться